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          技术实力:

           

          目前已开发完成15-100A/1200V、20-100A/1700V非穿通型平面栅和沟槽栅IGBT系列产品以及配套FRD产品,15A/600V场截止型沟槽栅IGBT产品,已完成2500V,3300V,4500V和6500V系列IGBT芯片样品的开发,其中6500V IGBT芯片样品的击穿电压达到7100V以上。正在进一步优化相关参数,拓展产品规格,目标是形成600V-6500V全系列IGBT产品。




          IGBT器件结构:

           

          (a) 沟槽栅穿通型Trench+PT             (b) 平面栅非穿通型Planar+NPT
          (c) 沟槽栅非穿通型Trench+NPT        (d) 平面栅场截止型Planar+FS
          (e) 沟槽栅场截止型Trench+FS          (f) 载流子存储层沟槽栅场截止型Trench+CS+FS

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