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          经我司研发团队全体成员共同努力欧洲杯竞猜平台,截至目前受理和获得授权各类专利共计222项。
          专利清单列表如下:

          序号申请号专利名称发明类型
          1PCT/CN2012/085993超结的制作方法PCT
          2PCT/CN2012/085995RB-IGBT 的制作方法
          3PCT/CN2012/083826一种功率半导体器件及其形成方法
          4PCT/CN2012/088087用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法
          5PCT/CN2012/088053一种高压超结 IGBT 的制作方法
          6PCT/CN2012/086016一种 TI-IGBT 及其形成方法
          7PCT/CN2012/086018RC-IGBT 及其制作方法
          8PCT/CN2012/085999IGBT 及其元胞结构、以及 IGBT 的形成方法
          9PCT/CN2012/086001ITC-IGBT 及其制作方法
          10PCT/CN2012/088110一种 IGBT 结构及其制备方法
          11PCT/CN2013/083602一种 TI-IGBT 器件及其制造方法
          12PCT/CN2014/084086一种双模式绝缘栅晶体管
          13201210519863超结的制作方法发明
          14201310102479.5逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法
          15201310025255.9一种功率半导体器件及其形成方法
          16201210499322.6一种 IGBT 器件及其形成方法
          17201210418809.7一种 IGBT 器件及其制作方法
          18201210370720.8 用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法
          19201210370852.0采用质子辐照制备终端结构的方法
          20201210371807.7FRD 的制备方法
          21201310087246.2一种 IGBT 结构及其制作方法
          22201210371127.5用于半导体功率器件的终端
          23201210500942.7一种逆导型 IGBT 器件及其形成方法
          24201210501722.6一种逆导型 IGBT 器件
          25201210426232.4IGBT 器件及其制作方法
          26201210530076.6一种 IGBT 及其制作方法
          27201210526368.2一种绝缘栅双极型晶体管
          28201210526416.8一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
          29201210418921一种绝缘互联散热板及功率???/td>
          30201210506054.6一种半导体器件及其制作方法
          31201310086257.9一种功率器件的制备方法
          32201310085560.7一种带缓冲层的低压 IGBT 及其制作方法
          33201210540050.X一种隧穿型逆导 IGBT 及其制造方法
          34201310085640.2PIN 超结结构
          35201210540052.9一种沟槽型 IGBT 及其制造方法
          36201310085577.2一种沟槽型 IGBT 结构的制作方法
          37201310086213.6一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法
          38201210540053.3一种增强微穿通型 IGBT
          39201310086221一种功率器件— TI-IGBT 的结构及其制备方法
          40201310085533.X 功率器件 -MPT-TI-IGBT 的结构及其制备方法
          41201310085535.9EMPT-TI-IGBT 器件的结构及其制备方法
          42201310086227.8一种电场阻断型 IGBT 结构的制备方法
          43201310086224.4一种 IGBT 短路集电极结构的制备方法
          44201310085624.3一种 IGBT 的缓冲层结构及其制作方法
          45201310086355.2用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区
          46201210524694.X逆导型 IGBT 的集电极结构及其制备方法
          47201210526482.5逆导型 IGBT 的背面结构及其制备方法
          48201210526292.3逆导型 IGBT 的制备方法
          49201310086262.X 一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法
          50201310085579.1一种平面型 IGBT 结构的制备方法
          51201210519798.1一种 TI-IGBT 及其形成方法
          52201210519817RC-IGBT 及其制作方法
          53201210520131.3IGBT 及其元胞结构、以及 IGBT 的形成方法
          54201210519402.3ITC-IGBT 及其制作方法
          55201310058786.8一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
          56201210509411.4IGBT 及其制作方法
          57201210510311.3一种穿通型 IGBT 及其制作方法
          58201210551729.9一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法
          59201210543954.8一种带 FS 层的PT 型功率器件的制作方法
          60201210526291.9一种 IGBT 结构及其制备方法
          61201210524692.0一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法
          62201210421076.2采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法
          63201210449247.2钝化半导体接触表面的功率半导体器件的集电极结构及制备方法
          64201210372401.0逆导 IGBT 器件结构及制造方法
          65201310013013.8功率半导体器件的背面集电极结构
          66201310072619.9 FS 型 IGBT 器件的背面结构
          67201210476017.5逆导 IGBT 器件及制造方法
          68201310012548.3功率半导体器件的集电极结构
          69201310013014.2绝缘栅双极晶体管的集电极背面结构
          70201310064612.2 IGBT 背面结构及制备方法
          71201210494615.5IGBT 集电极结构
          72201310008968.4一种 IGBT 集电极结构及其制备方法
          73201310590102.9一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法
          74201310574715.3IGBT 的制作方法
          75201310661952.3半导体器件、 PIN 二极管和IGBT 的制作方法
          76201410135996.7半导体器件的制作方法及 TI-IGBT 的制作方法
          77201410529420.9 半导体器件的制作方法、 TI-IGBT 的制作方法
          78201410132211.0一种 IGBT 过温?欧洲杯竞猜平台;さ缏芬约氨;し椒?/td>
          79201410048620.2半导体器件封装结构的检测方法
          80201410133262.5TI-IGBT 的制作方法
          81201410136330.3半导体器件的制作方法及 TI-IGBT 的制作方法
          82201410133404.8半导体器件的集电极结构及 TI-IGBT
          83201410133920.0半导体器件的集电极结构及 TI-IGBT
          84201410134465.6功率半导体器件的高温测试方法
          85201410049363.4逆变电路及不间断电源电路
          86201410529818.2焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法、焊接方法
          87201310618201.3一种 RB-IGBT 的制备方法
          88201310697677一种 TI-IGBT 器件
          89201310616655.7一种 Trench-RB-IGBT 的制备方法
          90201310616662.7一种低压 RB-IGBT 的制备方法
          91201410274412.4一种 TI-IGBT 芯片背面结构的加工方法
          92201410287757.3一种双模式绝缘栅晶体管
          93201410271677.9 一种沟槽隔离 IGBT 器件
          94201410192829.6 一种测量 IGBT 稳态热阻值的方法
          95201410194176.5 一种检测 IGBT 功率器件可靠性的系统和方法
          96201410271507.0 一种集成可变栅电阻栅极结构
          97201410529546.6 一种电磁炉 IGBT 的耐压测试装置和方法
          98201510683900.5压接式 IGBT 器件
          99201510550931.3一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
          100201510548998.3一种逆阻型 IGBT 及其制作方法
          101201510550929.6一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
          102201510786081.7一种 IGBT 及其制作方法
          103201510784090.2一种 IGBT 及其制作方法
          104201510776865.1IGBT 器件及其制作方法
          105201510548523.4一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
          106201510548390一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
          107201510550928.1一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
          108201510770393.9逆阻型 IGBT 芯片及其制作方法
          109201510771390.7RB-IGBT 芯片的制作方法及 RB-IGBT 芯片
          110201510770347.9RB-IGBT 芯片的制作方法及 RB-IGBT 芯片
          111201510784111一种快恢复二极管及其制作方法
          112201510548524.9一种快恢复二极管及其制作方法
          113201510121640.2 IGBT 器件及其制作方法
          114201510119746.9绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
          115201510103019.3降低阳极空穴注入的二极管结构
          116201510103235.8改善恢复耐量的二极管结构
          117201510103244.7降低动态损耗的沟槽式二极管结构
          118201510271797.3一种超高深宽比的超结制造方法
          119201510271920.1双沟道超结 IGBT
          120201510583125.6一种 IGBT 驱动电路
          121201510584009.6变频器过流?;さ缏?/td>
          122201510583542.0具备载流子存储的平面栅 IGBT 器件
          123201510583251.1具有载流子存储层的沟槽栅 IGBT 制备方法
          124201510819602.4能降低米勒电容的超结 IGBT 器件
          125201510601441.1IGBT 高效驱动电路
          126201510600812.4IGBT 动态测试闩锁?;さ缏?/td>
          127201510598391.6大电流 IGBT 芯片的测试夹具
          128201510590265.6混合 PIN 肖特基二极管的制备方法
          129201510600983.7具有内置二极管的 IGBT 器件的背面工艺
          130201510600038.7能实现背面精细化光刻的 IGBT 背面制作方法
          131201610148231.6 具有集成栅源电容的 IGBT 器件
          132201610147403.8 提高动态雪崩抗性的功率二极管
          133201610298120.3 一种抗闩锁 IGBT 器件
          134201610298661.6 具有高抗闩锁能力的 IGBT 器件
          135201611240226.4 用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座
          136

          201611240210.3

          IGBT 正面结构与制备方法
          137201611240202.9 栅极电阻、电容连续可调的 IGBT 测试电路
          138201611240129.5 高压大电流 IGBT 的动态测试平台及测试方法
          139201611240236.8 沟槽 IGBT 器件及其制造方法
          140201611240234.9 用于快速评估快恢复二极管性能的基座
          141201611240233.4 可自主设置调节的 IGBT 驱动电源拓扑
          142201611255787.1 IGBT 及 FRD 芯片动态测试夹具
          143201611255694.9 正弦逆变器 IGBT 结温波动计算方法
          144201611254701.3 改善型磁隔离 IGBT 驱动电路
          145201611254208.1 IGBT 动态有源钳位?;さ缏?/td>
          146201710014443.x具有软恢复特性的快恢复二极管结构
          147201710007355.7 一种 FS 型IGBT 器件的制造方法
          148201710007181.4 用于兼顾 IGBT 短路能力与开关速度的版图结构
          149201710007163.6 具有高抗短路能力的 IGBT 器件
          150201710007148.1 IPM 马达驱动应用中的自举电路
          151201710007013.5 基于改进型滑膜观测器的 BLDCM 控制系统及控制方法
          152201710828440x沟槽型半导体功率器件及其制备方法
          153201710827889.4 具有软关断特性的 FS 型IGBT 器件
          154201710827906.4 具有高抗短路能力的沟槽栅 IGBT 器件及其制备方法
          155201710827886.0 能进行终端横向耐压测试的 IGBT 版图
          156201711017467.7压接式 IGBT 器件正面金属电极结构的制备方法
          157201711017439.5用于压接式 IGBT 器件正面电极加工的基片
          158201711012160.8RC-IGBT 器件的背面加工方法
          159201711017441.2RC-IGBT 器件的背面结构制备方法
          160201711012226.3用于 RC-IGBT 晶圆背面加工的基片
          161201711445491.7 一种 IGBT 可靠性测试的控制方法、装置及系统
          162201711445359.xIGBT ??楣β时硌防匣匝樽爸眉胺椒?/td>
          163201711444393.5 基于神经网络的自适应谐波检测方法及检测电路
          164201711442696.3 MPS-FRD 器件的加工方法
          165201711442524.6 具有浮空 P 岛的沟槽型二极管及其制备方法
          166201711442489.8 提升抗闩锁能力的低通态压降IGBT
          167201711442211.0 具有低米勒电容的 IGBT 器件
          168201120209191.4一种场限环结构实用新型
          169201120220830.7IGBT 版图
          170201120268817.9通过外延方法形成 FS 层的高压IGBT
          171201220505060.5一种高压半导体器件及其终端
          172201220652041.5一种半导体功率器件
          173201220657534.8一种 IGBT
          174201220647148一种半导体器件
          175201320121922.9一种中高压 IGBT 终端
          176201320121908.9一种 IGBT 的版图
          177201320123024.7绝缘栅型双极晶体管
          178201320121934.1一种有源区金属与终端区形成电连接的版图
          179201520087935.8 结终端延伸的终端版图结构及其终端结构
          180201220688948.7一种在 IGBT 或者VDMOS 上形成的沟槽
          181201220689587.8一种逆导型 IGBT 的背面版图布局
          182201220587115.1一种 IGBT 版图
          183201220586619.1一种 IGBT 版图
          184201220652972.5一种 IGBT 版图
          185201220672107.7一种 IGBT 功率?欧洲杯竞猜平台?椴馐约芯?/td>
          186201320024327.3用于两单元 73 毫米功率器件?欧洲杯竞猜平台?榈缛莸牟馐宰爸?/td>
          187201320024496.7用于 IGBT 两单元功率器件??槎匦缘牟馐宰爸?/td>
          188201220702762.2一种适用于 dummy-trench 功率器件的版图
          189201220674679.9一种沟槽型 IGBT 版图结构
          190201220672867.8一种 IGBT 版图
          191201220589990.3检测电磁炉 IGBT 壳温的温控装置
          192201220641901.5塑封引线框架
          193201320013251.4IGBT 背面集电极结构
          194201320012538.5IGBT 芯片版图布局结构
          195201320761013.1一种 IGBT 缓冲吸收电路
          196201320865468.8绝缘栅双极晶体管过流?欧洲杯竞猜平台;さ缏?/td>
          197201420324413.0 超声扫描显微镜优化装置
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